各種真空鍍膜機(jī)的工作原理概述

1. 空心陰極離子鍍原理在本底真空為高真空的條件下由陰極中通入氬器氣1-10-2在陰極與輔助陽極之間加上引弧電壓使氬氣發(fā)生輝光放電在空心陰極內(nèi)產(chǎn)生低壓等離子體放電陰極溫度升高到2300-2400K時由冷陰極放電轉(zhuǎn)為熱陰極放電開始熱電子發(fā)射放電轉(zhuǎn)為穩(wěn)定狀態(tài)。通入反應(yīng)氣體可以制化合膜。

2. 測控濺射工作原理先將真空室預(yù)抽至10-3Pa然后通入氣體如氬氣氣壓為1-10 Pa時給靶加負(fù)電壓產(chǎn)生輝光放電電子在電場正作用下加速飛向基片時與氬原子碰撞電離出Ar和另一個電子轟擊靶材由二次電子電離的越來越多不斷轟擊靶材磁場改變電子的運(yùn)動方向以電磁場束縛和延長電子的運(yùn)動軌跡從而提高電子對工作氣體的電離幾率。

3. 多弧離子鍍工作原理其工作原理為冷陰極自持弧光放電其物理基礎(chǔ)為場致發(fā)射。被鍍材料接陰極真空室接陽極真空室抽為高真空時引發(fā)電極啟動器接觸拉開此時陰極與陽極之間形成穩(wěn)定的電弧放電陰極表面布滿飛速游動的陰極斑部分離子對陰極斑的轟擊使其變成點蒸發(fā)源以若干個電弧蒸發(fā)源為核心的為多弧離子鍍。

4. 電阻蒸發(fā)式鍍膜機(jī)膜材即要鍍的材料放于蒸發(fā)舟中置于真空室中抽到一定真空時通過電阻加熱膜材使其蒸發(fā)當(dāng)蒸發(fā)分子的平均自由程大于蒸發(fā)源至基片的線性尺寸時原子和分子從蒸發(fā)源中逸出后到達(dá)基片形成膜。為了使膜厚均勻可以利用電機(jī)帶動基片旋轉(zhuǎn)并用膜厚儀控制膜厚制出優(yōu)質(zhì)膜。

5. E型槍工作原理陰極燈絲加熱后發(fā)射具有0.3 EV初動能的熱電子這些熱電子在燈絲陰極與陽極之間的電場作用下加速并會聚成束狀。在電磁線圈的磁場中電子束沿E x B的方向偏轉(zhuǎn)通過陰極時電子的能量提高到10KV通過陽極電子偏轉(zhuǎn)270度角而入射坩堝內(nèi)的膜材表面上轟擊膜材使其蒸發(fā)。

6. PCVD鍍膜工作原理將被鍍件放在低壓輝光放電的陰極上通入適當(dāng)氣體在一定溫度下利用化學(xué)反應(yīng)和離子轟擊相結(jié)合的過程在工件表面獲得涂層。

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